膜厚儀 使用FT150測量手機、車載片式原器件Ni/Sn電極膜厚應用案例

新聞提供:科邁斯集團發表日:2020/03/04
關鍵字: 問題提問

使用FT150測量手機、車載片式原器件Ni/Sn電極膜厚應用案例

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使用FT150測量手機、車載片式原器件Ni/Sn電極膜厚應用案例

智慧手機或車載電腦等使用的片式元器件,由於產品的小型化和多功能化,更加追求高密度的安裝,部件本身也變得越來越小。它們中電極部分使用Sn和Ni雙層膜的情況較多,因此對其膜厚管理的追求也越高。FT150系列配備了新型聚光光學系以及升級後的Vortex®檢測器,可實現對今後越來越小型化片式元器件的電極部膜厚的高精確度Ni/Sn的同時測量。此份資料中,介紹了使用FT150對陶瓷片式元器件冷凝器的Ni/Sn層進行膜厚測量,之後更進一步確認對樣品斷面研磨後的電極部膜厚案例。

 

Ni/Sn層的膜厚測量

 

 ■測量樣品

測量的樣品為在市場上銷售的陶瓷片式元器件冷凝器(尺寸為1608)電極部分的Ni/Sn膜厚。片式元器件冷凝器的外觀如圖1所示。


圖1 測試樣品外觀

 

 

 

■測量條件及標準物質

作為標準物質,日立高新技術科學制薄膜標準物質Sn:5.18 µm,Ni:1.988 µm,Cu:19.62 µm的3個種類的箔與Al板重合的物質1點標準登記。

 

表1   測量條件
裝置 FT150h
管電壓 45 kV
光束直徑(※) 30 μm φ
一次濾波器 Al1000
測量時間 60秒
測量方法 薄膜FP法
分析線

Sn Ka
Ag Ka

(※)指擁有17 keV能量的一次X射線中包含了90%分

 

 

■螢光X射線膜厚測量儀(FT150、FT150L)膜厚測量結果
u/Ni/Sn膜的螢光X射線光譜如圖2所示。表2為Ni/Sn的膜厚測量結果。從結果可以看出,Sn膜、Ni膜RSD值都在1%左右,得到了幾乎0偏差的膜厚測量結果。
  

表2  Ni/Sn膜厚測定結果(n=10)
  Sn層 Ni層
平均值 4.32 2.46
標準偏差 0.04 0.03
RSD% 0.90 1.16

 http://www.techmaxasia.com/image/epaper/2020/20200304_article/01.png

 

 

■螢光X射線膜厚測量儀(FT150h)膜厚測量結果

Cu/Ni/Sn膜的螢光X射線光譜如圖3所示。表3為Ni/Sn的膜厚測量結果。10次連續測量的結果、Sn膜、Ni膜RSD值都在0.5%以下,得到了幾乎0偏差的膜厚測量結果。

表3  Ni/Sn膜厚測定結果(n=10)
  Sn層 Ni層
平均值 4.32 2.46
標準偏差 0.04 0.03
RSD% 0.90 1.16

 http://www.techmaxasia.com/image/epaper/2020/20200304_article/01.png

 

■通過SEM斷面觀察,測量結果的交叉檢驗

研磨加工測量樣品,通過SEM(日立高新技術科學制TM3030)進行斷面觀察,對電極部位的各層膜厚進行測量。這個結果和螢光X射線膜厚測量儀的結果高度一致。 

 

http://www.techmaxasia.com/image/epaper/2020/20200304_article/01.png

表4  利用SEM得到的膜厚測量結果
  Sn層 Ni層
厚(μm) 4.5 2.4

 

 

 


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